金属与半导体接触能带会弯曲，是否意味着半导体中基本上所有电子的能量都发生了变化？
我感觉要分析这个问题比较重要的前提是选取合适的能量/电势参考，并且做出一些假设。
金属半导体接触能带会弯曲金属与半导体接触能带会弯曲，是否意味着半导体中基本上所有电子的能量都发生了变化？，半导体一侧能带的弯曲如何理解呢？可以看看半导体物理/半导体器件的书。
这里摘录一段其它地方的讨论，可以参考一下这个链接【讨论】能带弯曲 - 第 2 页 - 物理 - 小木虫 - 学术 科研 互动社区 ()里面forever的留言
能带弯曲的主要原因是两个接触的半导体，其费米能级差不为零，
由于接触后，费米能级要在最终相等，所以高的费米能级下降低的上升，造成了能带弯曲产品目录，能带弯曲量，即内建电场范围由掺杂浓度决定，掺杂浓度大的一侧弯曲量小，小的一侧大。
弯曲量的大小可以由计算得出，你可以参考西安电子科大许长存老师的《半导体光电子技术》，或者其它方面的书籍，一般这方面的书都应该有的。
当掺杂浓度量相差两个数量级以上（两边空间电荷区宽度之比即两边掺杂浓度的反比），空间电荷区可认为只在低掺杂的一侧。宽度为
W＝(2εVD/eNa)1/2,其中，ε为低掺杂一侧半导体的介电常数，
VD =(Ef1-Ef2)/e, (Ef1-Ef2)为费米能级之差，
Na为低掺杂一侧的掺杂浓度金属半导体接触能带图，e为一个电子的带电量。
如果具体计算，就可以找相关的书籍了，一般的半导体书都应该有的，
如果是pn结的话，两侧半导体的能带都会弯曲；pn结的费米能级的位置是里p/n型半导体都有一定距离的新的位置。
如果是金属-半导体接触，只有半导体一侧的能带发生弯曲；
我个人认为金属一侧可以看作是掺杂浓度极高，所以金属一侧的能带弯曲基本不存在。
假设金属的能级的位置在接触前后都没有改变。
为了使接触后的金属-半导体有统一的费米能级，半导体一侧的能带（除去空间电荷区的部分应该整体下移）。
题目里说的
比如金属与n型半导体接触，且Wm＞Ws,能带向上弯曲发发库Sitemaps，界面处半导体导带位置没变，而内部是降低了。为什么界面处电子的能量没变，而内部的能量反而变了？如果半导体一侧无限大，金属还会对半导体产生这样的影响吗？
那么金属与半导体接触之后半导体内部的电子是否也经历了什么？
“能带向上弯曲”
我是这么理解的，应该是半导体内部能带整体下移导致的结果。
为什么界面处电子的能量没变，而内部的能量反而变了？
我是这么理解的，为了形成统一的费米能级，半导体内部能带整体下移。
如果半导体一侧无限大，金属还会对半导体产生这样的影响吗？
不如考虑这样一种情况，金属的费米能级和半导体的费米能级到真空能级的距离一样，接触的时候不发生能带的弯曲。别的情况我想可能还是会有能带的弯曲。
那么金属与半导体接触之后半导体内部的电子是否也经历了什么？
我的看法是，半导体内部能带整体下移，其实真空能级也随之下移，内部的电子的在禁带内的位置和行为和单独的半导体应该差别不大。
之前分析的时候以为半导体一侧中性区的能级和单独的半导体一样，现在想来是分析错了。
2022.11.29补充
看到一个介绍金属-半导体接触的链接，内容挺丰富的。
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翻到一篇文章金属半导体接触能带图，有时间也可以看看
还有一个挺有意思的东西
这两个是谁抄了谁？
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